بيت > منتجات > طلاء كربيد السيليكون > تقنية موكفد > مستقبل الجرافيت المطلي بـ SiC لـ MOCVD
مستقبل الجرافيت المطلي بـ SiC لـ MOCVD
  • مستقبل الجرافيت المطلي بـ SiC لـ MOCVDمستقبل الجرافيت المطلي بـ SiC لـ MOCVD
  • مستقبل الجرافيت المطلي بـ SiC لـ MOCVDمستقبل الجرافيت المطلي بـ SiC لـ MOCVD

مستقبل الجرافيت المطلي بـ SiC لـ MOCVD

VeTek Semiconductor هي شركة رائدة في مجال تصنيع وتوريد SiC Coated Graphite Susceptor لـ MOCVD في الصين، وهي متخصصة في تطبيقات طلاء SiC ومنتجات أشباه الموصلات الفوقي لصناعة أشباه الموصلات. توفر أجهزة امتصاص الجرافيت المطلية بـ MOCVD SiC جودة وأسعارًا تنافسية، وتخدم الأسواق في جميع أنحاء أوروبا وأمريكا. نحن ملتزمون بأن نصبح شريكك الموثوق به على المدى الطويل في تطوير تصنيع أشباه الموصلات.

إرسال استفسار

وصف المنتج

إن Susceptor الجرافيت المطلي بـ SiC من VeTek Semiconductor لـ MOCVD عبارة عن حامل جرافيت عالي النقاء مطلي بـ SiC، مصمم خصيصًا لنمو الطبقة الفوقية على رقائق الرقاقة. باعتباره مكونًا مركزيًا في معالجة MOCVD، والذي يتم تشكيله عادةً على شكل ترس أو حلقة، فإنه يتميز بمقاومة استثنائية للحرارة ومقاومة للتآكل، مما يضمن الاستقرار في البيئات القاسية.


الميزات الرئيسية لحساس الجرافيت المطلي بـ MOCVD SiC:


●   طلاء مقاوم للتقشر: يضمن تغطية موحدة لطلاء SiC على جميع الأسطح، مما يقلل من خطر انفصال الجسيمات

●   مقاومة ممتازة للأكسدة في درجات الحرارة العاليةce: يبقى ثابتاً عند درجات حرارة تصل إلى 1600 درجة مئوية

●   درجة نقاء عالية: تم تصنيعه من خلال ترسيب البخار الكيميائي CVD، وهو مناسب لظروف الكلورة ذات درجات الحرارة العالية

●   مقاومة فائقة للتآكل: ذو مقاومة عالية للأحماض والقلويات والأملاح والكواشف العضوية

●   نمط تدفق الهواء الصفحي الأمثل: يعزز توحيد ديناميكيات تدفق الهواء

●   التوزيع الحراري الموحد: يضمن توزيعًا مستقرًا للحرارة أثناء العمليات ذات درجات الحرارة المرتفعة

●   منع التلوث: يمنع انتشار الملوثات أو الشوائب، مما يضمن نظافة الرقاقة


في VeTek Semiconductor، نحن نلتزم بمعايير الجودة الصارمة، ونقدم منتجات وخدمات موثوقة لعملائنا. نحن نختار فقط المواد المتميزة، ونسعى جاهدين لتلبية متطلبات أداء الصناعة وتجاوزها. يجسد جهاز امتصاص الجرافيت المطلي بـ SiC الخاص بنا لـ MOCVD هذا الالتزام بالجودة. اتصل بنا لمعرفة المزيد حول كيف يمكننا دعم احتياجات معالجة رقائق أشباه الموصلات الخاصة بك.


هيكل كريستالي لطبقة CVD:


SEM DATA OF CVD SIC FILM


الخصائص الفيزيائية الأساسية لطلاء CVD SiC:

الخصائص الفيزيائية الأساسية لطلاء CVD SiC
ملكية
القيمة النموذجية
الهيكل البلوري
FCC β مرحلة متعددة البلورات، موجهة بشكل رئيسي (111).
كثافة
3.21 جم/سم3
صلابة
2500 صلابة فيكرز (حمولة 500 جرام)
حجم الحبوب
2 ~ 10 ميكرومتر
النقاء الكيميائي
99.99995%
القدرة الحرارية
640 جول·كجم-1· ك-1
درجة حرارة التسامي
2700 درجة مئوية
قوة العاطفة
415 ميجا باسكال RT 4 نقاط
معامل يونغ
430 جيجا باسكال 4pt منحنى، 1300 درجة مئوية
الموصلية الحرارية
300 واط · م-1· ك-1
التمدد الحراري (CTE)
4.5×10-6K-1



فيتيك لأشباه الموصلات موكفد مستقبلات الجرافيت المطلية بـ SiC:

VeTekSemi MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor


الكلمات الساخنة: Susceptor الجرافيت المطلي SiC لـ MOCVD، الصين، الشركة المصنعة، المورد، المصنع، حسب الطلب، شراء، متقدم، متين، صنع في الصين
الفئة ذات الصلة
إرسال استفسار
لا تتردد في تقديم استفسارك في النموذج أدناه. سوف نقوم بالرد عليك خلال 24 ساعة.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept