مستقبلات Aixtron G5 MOCVD

VeTek Semiconductor هي إحدى الشركات الرائدة في تصنيع ومبتكرة Aixtron G5 MOCVD Susceptors في الصين. لقد تخصصنا في مواد طلاء SiC لسنوات عديدة. نحن نقدم Susceptors Aixtron G5 MOCVD المصممة خصيصًا لمفاعل Aixtron G5 MOCVD. تعد مجموعة Aixtron G5 MOCVD Susceptors حلاً متعدد الاستخدامات وفعالاً لتصنيع أشباه الموصلات بحجمها الأمثل وتوافقها وإنتاجيتها العالية. مرحبًا بكم في الاستفسار معنا.

إرسال استفسار

وصف المنتج

كشركة مصنعة محترفة، تود شركة VeTek Semiconductor أن توفر لك أجهزة Aixtron G5 MOCVD Susceptors مثل أجزاء الجرافيت المطلية بـ SiC، وأجزاء الجرافيت المطلية بـ TaC، وSiC/CVD SiC الصلبة، وأجزاء الكوارتز. مرحبًا بكم في الاستفسار عنا.

Aixtron G5 هو نظام ترسيب لأشباه الموصلات المركبة. يستخدم AIX G5 MOCVD منصة مفاعل كوكبي AIXTRON مثبتة لدى عملاء الإنتاج مع نظام نقل الرقاقة بخرطوشة مؤتمتة بالكامل (C2C). حقق أكبر حجم تجويف فردي في الصناعة (8 × 6 بوصات) وأكبر قدرة إنتاجية. إنه يوفر تكوينات مرنة مقاس 6 و4 بوصات مصممة لتقليل تكاليف الإنتاج مع الحفاظ على جودة المنتج الممتازة. يتميز نظام CVD الكوكبي ذو الجدار الدافئ بنمو ألواح متعددة في فرن واحد، وكفاءة الإخراج عالية. تقدم VeTek Semiconductor مجموعة كاملة من الملحقات لنظام Aixtron G5 MOCVD، وتتكون Aixtron G5 MOCVD Susceptors من هذه الملحقات:

قطعة الدفع، مضادة للدوران	حلقة التوزيع	سقف	حامل، سقف، معزول	لوحة الغلاف، الخارجي
لوحة الغلاف، الداخلية	حلقة الغلاف	القرص	قرص الغطاء المنسدلة	دبوس
غسالة دبوس	القرص الكوكبي	فجوة حلقة مدخل المجمع	جامع العادم العلوي	مصراع
حلقة داعمة	أنبوب الدعم

Aixtron G5,EPI susceptor,MOCVD susceptor

الخصائص الفيزيائية الأساسية لطلاء CVD SiC:

الخصائص الفيزيائية الأساسية لطلاء CVD SiC
ملكية	القيمة النموذجية
الهيكل البلوري	FCC β طور متعدد البلورات، موجه بشكل رئيسي (111).
كثافة	3.21 جم/سم3
صلابة	2500 صلابة فيكرز (حمولة 500 جرام)
حجم الحبوب	2 ~ 10 ميكرومتر
النقاء الكيميائي	99.99995%
السعة الحرارية	640 جول·كجم-1·ك-1
درجة حرارة التسامي	2700 درجة مئوية
قوة العاطفة	415 ميجا باسكال RT 4 نقاط
معامل يونج	430 جيجا باسكال 4pt منحنى، 1300 درجة مئوية
توصيل حراري	300 واط·م-1·ك-1
التمدد الحراري (CTE)	4.5×10-6K-1