طلاء SiC مستقبل ALD

فيتيك لأشباه الموصلاتطلاء SiC مستقبل ألديلعب دورا حيويا في ترسيب الطبقة الذرية (ألد) عملية. إن التحكم الدقيق في درجة الحرارة، وتوزيع الغاز الموحد، والمقاومة الكيميائية العالية والتوصيل الحراري الممتاز يضمن التوحيد والجودة العالية لعملية ترسيب الفيلم. إذا كنت تريد معرفة المزيد، يمكنك استشارتنا على الفور وسوف نقوم بالرد عليك في الوقت المناسب!

التحكم الدقيق في درجة الحرارة:

عادة ما يكون لدى متقبل ALD لطلاء SiC نظام عالي الدقة للتحكم في درجة الحرارة. إنها قادرة على الحفاظ على بيئة درجة حرارة موحدة طوال عملية الترسيب، وهو أمر بالغ الأهمية لضمان توحيد وجودة الفيلم.

توزيع الغاز الموحد:

يضمن التصميم الأمثل لمستقبل ALD لطلاء SiC التوزيع الموحد للغاز أثناء عملية ترسيب ALD. يشتمل هيكلها عادةً على أجزاء دوارة أو متحركة متعددة لتعزيز التغطية الموحدة للغازات التفاعلية عبر سطح الرقاقة بالكامل.

مقاومة كيميائية عالية:

نظرًا لأن عملية ALD تتضمن مجموعة متنوعة من الغازات الكيميائية، فإن مُستقبل ALD لطلاء SiC عادةً ما يكون مصنوعًا من مواد مقاومة للتآكل (مثل البلاتين أو السيراميك أو الكوارتز عالي النقاء) لمقاومة تآكل الغازات الكيميائية وتأثير البيئات ذات درجات الحرارة المرتفعة.

الموصلية الحرارية ممتازة:

من أجل توصيل الحرارة بشكل فعال والحفاظ على درجة حرارة ترسيب مستقرة، عادةً ما تستخدم مستقبلات ALD المطلية بـ SiC مواد التوصيل الحراري العالية. وهذا يساعد على تجنب ارتفاع درجة الحرارة المحلية والترسيب غير المتكافئ.

الخصائص الفيزيائية الأساسية لطلاء CVD SiC:

محلات الإنتاج:

نظرة عامة على سلسلة صناعة رقائق أشباه الموصلات：