حاملة رقاقة كربيد السيليكون

VeTek Semiconductor هي إحدى الشركات الرائدة في توريد حاملات رقائق كربيد السيليكون المخصصة في الصين. لقد تخصصنا في المواد المتقدمة لأكثر من 20 عامًا. نحن نقدم حاملة رقائق كربيد السيليكون لحمل الركيزة SiC، وتنمية طبقة الفوقية SiC في مفاعل الفوقي SiC. يعتبر حامل رقاقة كربيد السيليكون Epitaxy جزءًا مهمًا مطليًا بـ SiC من جزء نصف القمر، ومقاومة درجات الحرارة العالية، ومقاومة الأكسدة، ومقاومة التآكل. نحن نرحب بكم لزيارة مصنعنا في الصين.

إرسال استفسار

وصف المنتج

باعتبارنا الشركة المصنعة المحترفة، نود أن نقدم لك جودة عالية من كربيد السيليكون Epitaxy Wafer Carrier.

تم تصميم حاملات رقاقة VeTek Semiconductor Silicon Carbide Epitaxy Wafer خصيصًا للغرفة الفوقي SiC. لديهم مجموعة واسعة من التطبيقات ومتوافقة مع نماذج المعدات المختلفة.

سيناريو التطبيق:

تستخدم ناقلات الويفر VeTek لأشباه الموصلات من كربيد السيليكون بشكل أساسي في عملية نمو الطبقات الفوقي من SiC. يتم وضع هذه الملحقات داخل مفاعل الفوقية SiC، حيث تكون على اتصال مباشر مع ركائز SiC. المعلمات الحاسمة للطبقات الفوقي هي سمك وتوحيد تركيز المنشطات. لذلك، نقوم بتقييم أداء وتوافق ملحقاتنا من خلال مراقبة البيانات مثل سمك الفيلم، وتركيز الناقل، والتجانس، وخشونة السطح.

الاستخدام:

اعتمادًا على المعدات والعملية، يمكن لمنتجاتنا تحقيق ما لا يقل عن 5000 ميكرومتر من سماكة الطبقة الفوقية في تكوين نصف قمر بقياس 6 بوصات. تعمل هذه القيمة كمرجع، وقد تختلف النتائج الفعلية.

نماذج المعدات المتوافقة:

تتوافق أجزاء الجرافيت المطلية بكربيد السيليكون لأشباه الموصلات VeTek مع نماذج المعدات المختلفة، بما في ذلك LPE، وNAURA، وJSG، وCETC، وNASO TECH، وغيرها.

الخصائص الفيزيائية الأساسية لطلاء CVD SiC:

الخصائص الفيزيائية الأساسية لطلاء CVD SiC
ملكية	القيمة النموذجية
الهيكل البلوري	FCC β مرحلة متعددة البلورات، موجهة بشكل رئيسي (111).
كثافة	3.21 جم/سم3
صلابة	2500 صلابة فيكرز (حمولة 500 جرام)
حجم الحبوب	2 ~ 10 ميكرومتر
النقاء الكيميائي	99.99995%
السعة الحرارية	640 جول·كجم-1·ك-1
درجة حرارة التسامي	2700 درجة مئوية
قوة العاطفة	415 ميجا باسكال RT 4 نقاط
معامل يونج	430 جيجا باسكال 4pt منحنى، 1300 درجة مئوية
توصيل حراري	300 واط·م-1·ك-1
التمدد الحراري (CTE)	4.5×10-6K-1