السيليكون على رقاقة عازل

مبدأ العملفيتيك لأشباه الموصلاتقالسيليكون على رقاقة العازليعتمد بشكل أساسي على هيكله الفريد وخصائص المواد. و رقاقة SOIيتكون من ثلاث طبقات: الطبقة العليا عبارة عن طبقة جهاز سيليكون أحادية البلورة، والطبقة الوسطى عبارة عن طبقة عازلة من أكسيد المدفون (BOX)، والطبقة السفلية عبارة عن ركيزة سيليكون داعمة.

تشكيل الطبقة العازلة: عادةً ما يتم تصنيع رقاقة السيليكون الموجودة على العازل باستخدام تقنية Smart Cut™ أو تقنية SIMOX (الفصل عن طريق الأكسجين المزروع). تقوم تقنية Smart Cut™ بحقن أيونات الهيدروجين في رقاقة السيليكون لتكوين طبقة فقاعية، ومن ثم ربط الرقاقة المحقونة بالهيدروجين برقاقة السيليكون الداعمة. بعد المعالجة الحرارية، يتم فصل الرقاقة المحقونة بالهيدروجين من طبقة الفقاعة لتكوين بنية SOI. تعمل تقنية SIMOX على زرع أيونات الأكسجين عالية الطاقة في رقائق السيليكون لتكوين طبقة أكسيد السيليكون عند درجات حرارة عالية.

تقليل السعة الطفيلية: طبقة BOX منالسيليكون على رقاقة عازليعزل بشكل فعال طبقة الجهاز والسيليكون الأساسي، مما يقلل بشكل كبير من السعة الطفيلية. يؤدي هذا العزل إلى تقليل استهلاك الطاقة وزيادة سرعة الجهاز وأدائه.

تجنب آثار الإغلاق: أجهزة n-well وp-well فيرقاقة SOIمعزولة تمامًا، مما يؤدي إلى تجنب تأثير الإغلاق في هياكل CMOS التقليدية. هذا يسمحرقاقة السيليكون على العازل ليتم تصنيعها بسرعات أعلى.

وظيفة توقف الحفر: تسهل طبقة جهاز السيليكون البلوري المفرد وهيكل طبقة BOX لرقاقة SOI تصنيع الأنظمة الكهروميكانيكية الدقيقة والأجهزة الإلكترونية الضوئية، مما يوفر وظيفة إيقاف الحفر الممتازة.

ومن خلال هذه الخصائص،السيليكون على رقاقة عازليلعب دورًا مهمًا في معالجة أشباه الموصلات وتعزيز التطوير المستمر لصناعات الدوائر المتكاملة (IC) والأنظمة الكهروميكانيكية الدقيقة (MEMS). ونحن نتطلع بصدق إلى مزيد من التواصل والتعاون معكم.

معلمة المنتج：

محلات الإنتاج:

نظرة عامة على سلسلة صناعة رقائق أشباه الموصلات：