مجموعة مستقبلات LPE SI EPI

VeTek Semiconductor هي شركة رائدة في تصنيع ومبتكرة مجموعة LPE Si Epi Susceptor في الصين. لقد تخصصنا في طلاء SiC وطلاء TaC لسنوات عديدة. نحن نقدم مجموعة LPE Si Epi Susceptor المصممة خصيصًا لرقائق LPE PE2061S مقاس 4 بوصات. درجة مطابقة مادة الجرافيت وطلاء SiC جيدة، والتوحيد ممتاز، والعمر طويل، مما يمكن أن يحسن إنتاجية نمو الطبقة الفوقية أثناء عملية LPE (الطور السائل Epitaxy). نرحب بكم لزيارة مصنعنا في الصين.

إرسال استفسار

وصف المنتج

VeTek Semiconductor هي شركة صينية متخصصة في تصنيع وتوريد مجموعة LPE Si EPI Susceptor.

مع نوعية جيدة وبأسعار تنافسية، مرحبا بكم في زيارة المصنع وإقامة تعاون طويل الأمد معنا.

مجموعة VeTeK Semiconductor LPE Si Epi Susceptor هي منتج عالي الأداء تم إنشاؤه من خلال تطبيق طبقة دقيقة من كربيد السيليكون على سطح الجرافيت المتناحي الخواص عالي النقاء. ويتم تحقيق ذلك من خلال عملية ترسيب البخار الكيميائي (CVD) الخاصة بشركة VeTeK Semiconductor.

مجموعة LPE Si Epi Susceptor من VeTek Semiconductor عبارة عن مفاعل برميلي ترسيب فوقي CVD مصمم لأداء موثوق به حتى في الظروف الصعبة. إن التصاق الطلاء المتميز، ومقاومته للأكسدة ذات درجات الحرارة العالية، والتآكل يجعله خيارًا مثاليًا للبيئات القاسية. علاوة على ذلك، فإن مظهره الحراري الموحد ونمط تدفق الغاز الرقائقي يمنعان التلوث، مما يضمن نمو الطبقات الفوقي عالية الجودة.

يعمل التصميم على شكل برميل لمفاعلنا الفوقي شبه الموصل على تحسين تدفق الغاز، مما يضمن توزيع الحرارة بالتساوي. تعمل هذه الميزة على منع التلوث وانتشار الشوائب بشكل فعال، مما يضمن إنتاج طبقات فوقية عالية الجودة على ركائز الرقاقة.

في VeTek Semiconductor، نحن ملتزمون بتزويد العملاء بمنتجات عالية الجودة وفعالة من حيث التكلفة. توفر مجموعة LPE Si Epi Susceptor الخاصة بنا أسعارًا تنافسية مع الحفاظ على كثافة ممتازة لكل من طبقة الجرافيت وطلاء كربيد السيليكون. يضمن هذا المزيج حماية موثوقة في بيئات العمل ذات درجات الحرارة العالية والتآكل.

الخصائص الفيزيائية الأساسية لطلاء CVD SiC:

الخصائص الفيزيائية الأساسية لطلاء CVD SiC
ملكية	القيمة النموذجية
الهيكل البلوري	FCC β طور متعدد البلورات، موجه بشكل رئيسي (111).
كثافة	3.21 جم/سم3
صلابة	2500 صلابة فيكرز (حمولة 500 جرام)
حجم الحبوب	2 ~ 10 ميكرومتر
النقاء الكيميائي	99.99995%
السعة الحرارية	640 جول·كجم-1·ك-1
درجة حرارة التسامي	2700 درجة مئوية
قوة العاطفة	415 ميجا باسكال RT 4 نقاط
معامل يونج	430 جيجا باسكال 4pt منحنى، 1300 درجة مئوية
توصيل حراري	300 واط·م-1·ك-1
التمدد الحراري (CTE)	4.5×10-6K-1