الصين نتاج السيليكون الصانع والمورد والمصنع

يشير Silicon Epitaxy، EPI، Epitaxy، Epitaxial إلى نمو طبقة من البلورة بنفس الاتجاه البلوري وسمك بلوري مختلف على ركيزة سيليكون بلوري واحدة. تكنولوجيا النمو الفوقي مطلوبة لتصنيع المكونات المنفصلة لأشباه الموصلات والدوائر المتكاملة، لأن الشوائب الموجودة في أشباه الموصلات تشمل النوع N والنوع P. من خلال مجموعة من الأنواع المختلفة، تعرض أجهزة أشباه الموصلات مجموعة متنوعة من الوظائف.

يمكن تقسيم طريقة نمو نضوج السيليكون إلى نضوج الطور الغازي، نضوج الطور السائل (LPE)، نضوج الطور الصلب، طريقة نمو ترسيب البخار الكيميائي تستخدم على نطاق واسع في العالم لتلبية سلامة الشبكة.

يتم تمثيل معدات السيليكون الفوقي النموذجية من قبل الشركة الإيطالية LPE، التي لديها تور الفوقي hy pnotic، نوع البرميل hy pnotic tor، أشباه الموصلات hy pnotic، حامل الرقاقة وما إلى ذلك. الرسم التخطيطي لغرفة تفاعل الفوقي الفوقي على شكل برميل هو كما يلي. يمكن لـ VeTek Semiconductor أن يوفر ناخبًا للرقاقة الفوقية على شكل برميل. نوعية PElector HY المطلية بـ SiC ناضجة جدًا. جودة تعادل SGL؛ في الوقت نفسه، يمكن لـ VeTek Semiconductor أيضًا توفير فوهة كوارتز لتجويف التفاعل الفوقي من السيليكون، وحاجز الكوارتز، وجرة الجرس وغيرها من المنتجات الكاملة.

المستقبل الفوقي العمودي للسيليكون:

مستقبل السيليكون الفوقي برميل من نوع ويفر سوسسيبتور استقبال أشباه الموصلات حساس مطلي بـ SiC

المستقبل الفوقي الأفقي للسيليكون:

إذا كان المتلقي الفوقي آخذ فطيرة مُستقبل مُغلف بـ SiC